一维纳米资料作为自下而上拼装功能型多模组电子器材中定义明确的纳米级构件,现已引起了继续的重视。与传统的二维薄膜资料比较,一维纳米纤维(NFs)(或纳米线)结构具有共同的电荷传输特性、大比表面积、高机械柔性和强载流子束缚等特色,可使用于光电、传感器、柔性显现器、可穿戴电子设备等范畴。特别是,由高度取向摆放的纳米纤维阵列拼装而成的器材在均匀性和安稳才能方面都有实质的进步,使其成为集成电路中二维薄膜器材的潜在替代者。静电纺丝(ES)是一种低成本、有用、可控且安稳的NFs及其阵列制备技能,但是,现在绝大大都现已报导的ES基MOS FET依然依赖于高于500℃的高温处理工艺,严峻约束了器材向柔性集成的拓宽。
何刚团队在近来提出了一种兼具低热预算和纤维阵列的MO NFs的制备办法,并成功集成了依据高度取向的IGZO(a-IGZO)NFs的FET器材。得益于NFs的高取向阵列排布,所获器材的电学功能体现相当可观,包含5.63cm2V-1s-1的迁移率和高于107的开/关电流比值等。将a-IGZO与ALD制备的高品质HfAlOx薄膜栅介质集成,器材源极/漏极电压(VDS)可大起伏下降10倍,一起迁移率进步约3倍,到达15.9 cm2V-1s-1,FET归纳特性乃至优于大都高温工艺条件下集成的器材。别的,何刚团队还演示了器材在逻辑电路、传感器和柔性显现端等范畴的多功能使用。依据成果得出:低温与平行阵列相结合的战略,为构建未来的低功耗、多模组、高功能柔性低维电子器材供给了一条可行且牢靠的试验途径。